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三星西安半导体工厂高端闪存芯片正式量产

5月9日,韩国三星电子在西安高新区一期投资70亿美元的三星(中国)半导体有限公司举行竣工投产仪式,三星高端闪存芯片由此正式开始量产。

据了解,此次竣工的三星(中国)半导体有限公司西安项目园区占地约114万平方米,总建筑面积约23万平方米,将生产10纳米级NAND闪存芯片(V—NAND)。

三星电子表示,西安半导体工厂的正式生产,标志着其成功构建了由韩国(系统和闪存半导体),中国(存储半导体)以及美国(系统半导体)共同构成的“全球半导体三大生产基地体系”。通过对半导体生产资源在全球范围内的均衡分配,实现其国际资产的战略配置。同时,西安半导体工厂竣工后,三星电子将通过中韩两国NAND闪存的双重生产体系,更加稳定地为客户供给产品。特别值得一提的是,中国不仅是全球IT企业的生产基地,而且更占世界NAND闪存销量近半。能够直接在中国生产NAND闪存芯片,将使三星更有效率地应对市场变化和客户的需求。

三星西安半导体工厂的正式投产,对提高西安高新区的国际影响力,加快西安国际化大都市建设进度,加快陕西对外开放和国际合作步伐,都有着积极、重要、深远的影响;从产业发展方面的深远影响来看,将引领西安高新区电子信息产业集群化发展,使西安成为具有较强竞争力的电子信息产业基地,进一步完善西安半导体产业链,有利于陕西电子信息产业做大做强,推动陕西战略性新兴产业发展壮大,形成区域性电子信息产业集群,对整个关天经济区产业结构调整、升级转型,以及丝绸之路经济带建设意义重大。

责任编辑:慕容素娟


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