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半导体

台积电7纳米SRAM打赢三星 要准备5纳米制程

台积电与英特尔、三星的先进制程竞赛依旧打得火热,10 纳米以下制程成为半导体三雄间的竞逐场,三星虽于11月中抢先发表10纳米 FinFET 制程生产的SRAM(静态随机存取存储器),看似抢先台积电与三星,不过,台积电3日透露,早已成功以7 纳米制程产出SRAM,而且预告5纳米也要来了!

台积电于3日举办第十五届供应链管理论坛,台积电总经理暨共同执行长刘德音表示,库存调整已近尾声,2016有望恢复成长,台积明年将比今年更好,与先前自家董事长张忠谋的说法一致,刘德音对台积电先进制程进度也透露更多的讯息。

在16 纳米制程,台积电先前推出比 FinFET Plus 更低功耗的 FFC 制程,主打低阶智慧手机与物联网等领域,刘德音昨 3 日指出,目前已设计定案(tape-out)的有27个,估计 2016 年达到100 个,16 纳米从原本高阶市场主力,进一步拓展到中低阶市场,刘德音预估 16 纳米市佔的扩展,将成为明年营收优于去年的重要动能。

对于三星于11 月中宣布已运用 10 纳米 FinFET 生产出 SRAM(静态随机存取存储器),刘德音透露,台积电已经成功以 7 纳米制程产出 SRAM,10 纳米将在 2016 年初试产、7 纳米则有望于 2017 年第一季试产,与今年 9 月台积电技术长孙元成,参与美国圣塔克拉拉举行的创新平台论坛所言进度相同。

据孙元成当时说法,10 纳米在 2016 年底或 2017 年初将进入量产阶段,若依此转进进度,10 纳米阶段台积将有望超车英特尔,英特尔执行长 Brian Krzanich 在今年第二季法说会上坦承,下世代(10 纳米)制程,大约到 2017年下半才会推出。三星则在今年6月正式将10纳米 FinFET 制程纳入开发路图(Roadmap),估计10 纳米在2016年底、2017 年初全面投产,与台积电时间差不多。

值得关注的是,刘德音在昨3日的论坛向供应链伙伴预告,该开始准备5 纳米了!虽未对相关时程多做说明,但也令外界相当期待,然而在10 纳米以下制程微缩已经来到光学微影解析的极限,台积电年初透露在 10 纳米制程有部分光罩将採用极紫外光(Extreme Ultraviolet,EUV )微影技术进行曝光,大摩3月份发表的报告也指出, EUV 将是台积电能否在10 纳米以下制程超车的关键。

责任编辑:赵晨


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