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三星落子中国 存储业整合发酵

近日,韩国三星电子投资规模达40亿美元的芯片工厂将落户中国的消息传得沸沸扬扬,三星中国公司一位高层就此消息对《中国电子报》记者作出正面回应,但同时表示具体在哪座城市设厂还在商谈之中。此前,三星在美国得克萨斯州建设了第一家海外芯片工厂,在中国投资的NAND闪存芯片工厂将成为三星第二家海外芯片工厂。在几番波折之后,三星终于还是来了。


  虚实之间


  三星第二家海外芯片厂为何最终选择落在中国?毕竟之前三星曾经非常担心技术外泄的问题。韩国知识经济部在一项声明中表示,选择中国对于三星来说是一次风险不小的尝试,因为三星认为在海外建设高科技生产线存在技术外泄的风险,所以不轻易在海外建厂。但三星方面在回复记者邮件采访时表示,海外建设闪存生产线涉及向政府提交申请、资金、选址、人员配备等一系列问题,这显然需要一段时间,并不只是因为担心技术外泄。
而三星的决定也反映了中国市场的重要性。
根据市场调研机构Gartner的数据预测,2012年全球DRAM市场规模将达321亿美元,上升10.9%%,NAND将达285亿美元,上升14.8%%。而中国市场占据了全球存储器(DRAM+NAND+NOR)市场的半壁江山,约为290亿美元。如果三星在中国大规模进行芯片制造,将可就地满足中国的手机、面板、电脑、电视等市场需求。
此外,韩国另一家闪存巨头海力士在中国无锡发展顺利,据知情人士透露,目前海力士无锡厂12英寸芯片产能已达13万片~14万片,年底将达18万片。
iSuppli高级分析师顾文军也向《中国电子报》记者表示,目前中国半导体行业有良好的人才基础和产业基础,而且更重要的是,现在三星与苹果在闪存、手机、平板电脑等多个领域竞争激烈,中国将是其重要的市场后盾。三星在回复记者邮件时也表示,每个国家都有各自的发展步骤,三星在中国建厂是充分考虑到了中国的发展潜力。
而半导体知名专家莫大康则对三星此时要将最先进的技术拿到中国提出了不同见解。他指出,从宏观来看,现在全球经济走势不明朗,半导体业整体投资在下调,设备业投资预计将下降10%%。此外,年销售额达60亿美元的SanDisk最近决定将延迟2013年的扩充计划,也让三星此时的大举扩张有些让人难以捉摸。
三星计划在中国所建工厂采用尖端20纳米或更先进的制造工艺,但20纳米半导体制程是一分水岭,往下是否能走谁都不知道。莫大康分析说,因为逻辑芯片从32纳米发展到22纳米花费了很长时间,比如最近AMD公司不在德国其投资的代工厂生产,而选择台积电代工;按照英特尔的产品路线发展图,其在2011年年底就应进入22纳米,但目前从外围消息看,还没有量产。
据悉,台积电22纳米且基于HKMG(High-K Metal Gate)的工艺成熟度仍相当低,良品率不及5%%,不可能量产。这说明摩尔定律快到头了。当然闪存制程技术和逻辑IC不一样,闪存芯片的光刻只到3~4层,而逻辑芯片的光刻需要10层以上。目前闪存20纳米技术已量产,海力士于去年年底甚至爆出冷门,称已开发出15纳米的NAND闪存技术,但海力士未正式宣布何时真正量产。
  目前闪存最先进的仍是20纳米制程技术,三星的许诺能否真正“兑现”,还要看后续发展。


  利弊之辩


  对于中国半导体业而言,三星入华亦如一个硬币的“两面”。
有利方面,莫大康表示,三星和海力士、英特尔、TI等全球顶级大厂都已纷纷落户中国,可以带动产业链配套的进步及培养一批人才。因国内没有专门做NAND芯片制造的企业,三星NAND芯片制造厂如果真的能按计划实施的话,可为中国培养人才。另外,中国芯片制造业的销售额也会相应增加,或能弥补与中芯国际之前预定目标30~50亿美元的可能差值,为中国实现半导体“十二五”规划目标带来相应的促进作用。
三星则表示,在中国建厂将会与中国相关机构、企业进行良好的沟通,这也会促进中国半导体产业的成长。
关于三星入华的弊端,顾文军认为,按照三星公开的计划,三星中国厂在2013年就要实现量产,而厂房建设、设备投入需要一年左右时间,生产线也不会对外代工。其产生的影响在于:一是三星在NAND领域的控制力会更强,其他竞争对手如尔必达等业务相对会受到一些冲击;二是话语权更强,客户的议价能力更弱;三是将与国内企业在人才资源方面展开激烈的争夺。


  取舍之道


  存储器是典型的标准化核心基础部件,所有的电子产品里面几乎都用到这个产品,可谓电子工业的“粮食”。存储器产品主要包括DRAM、闪存的NAND和NOR,还有一些SRAM等,但DRAM和NAND占绝大部分份额。目前,DRAM国际主导厂商主要是三星、海力士、尔必达、美光和我国台湾等厂商;NAND厂商主要是三星、美光和东芝,而中国大陆从事存储器业务的只有做DRAM的浪潮华芯、开发NOR的兆易创新等屈指可数的几家,而且都是无生产线设计公司,没有建立自己的IDM。
从产业发展来看,未来存储行业也在不断扩张并发展,大数据量、降低固态硬盘时延、端到端管理功能、移动性内容交付、网络融合五大趋势将对存储业增长起到推波助澜的作用。最近,日本DRAM厂尔必达债务到期日倒数计时,已向银行提出多项重整方案,全球存储器业下一步兼并重组只是时机问题。
美光执行长Steve Appleton在2011年底也公开表示,只要有适当机会和条件,内存产业整合是势在必行。顾文军也对记者表示,2012年是整合之年,存储器业将会形成2~3家巨头。
兆易创新副总经理何卫指出,目前国内存储器企业都是Fabless,没有Foundry代工厂,就算有意向也找不到具有先进工艺的Foundry厂,而NAND等需要有先进工艺才会有产出,目前中国大陆25纳米的先进Foundry厂根本就没有。
据悉,中芯国际32纳米的NAND项目还在犹豫是否做,因为要投入几十亿美元,目前来看国内建设NAND的Foundry厂还没有可实施性。何卫也提到,随着智能手机等对NAND等高容量需求增长,兆易创新也将向手机NAND市场进军,因为手机NAND主要是放程序的,而三星等公司NAND主要是做数据存储的,两者都有一定难度,但程序存储可靠性要求更高。希望国家在存储器领域加大支持和投入力度,如果能建立自己的Foundry厂,对国内Fabless公司的发展将是一大利好。
“存储器产业发展一是要有大投入,主要是拼资金;二是要有技术积累。作为基础产业,国家还需统筹规划,做好评估,统一安排,是选择DRAM、FLASH还是SRAM,是单纯的Fabless还是Foundry都要仔细规划,加大投入力度。”顾文军表示,“目前我国每年进口存储器几百亿美元,以后价格会越来越贵,这是基础元件,如果基础元件缺失的话,对国内电子业的发展影响将非常巨大。”
《中国产业地图》一书指出,中国每个已开放产业的前5名企业都由外资公司控制;中国的28个主要产业中,有21个产业是外资拥有多数资产控制权。期待作为电子工业粮食的存储器业,“后人哀之而不鉴之,亦使后人而复哀后人”的事不要再上演了。


  (责任编辑:落雪)


 



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