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美光、尔必达提前导入40纳米 4大DRAM阵营火药味浓

作者:电子信息产业网来源:DigiTimes发布时间:2010-01-25 09:55我要评论

2010年4大DRAM阵营三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、尔必达(Elpida)和美光(Micron)战场直接拉到40纳米世代!继尔必达跳过50纳米制程,大举转换至45纳米后,美光阵营也不甘示弱宣布年中将同步转42纳米。华亚科表示,表示旗下的50纳米制程是最正统的完整世代技术,并非是制程微缩下的产物,因此成本竞争力有十足把握;在尔必达、美光跟上制程进度后,年底4大阵营技术实力大幅缩小,竞争更激烈。


虽然三星电子和海力士已先一步转到40纳米世代,其中三星是46纳米制程,海力士转进44纳米制程,但存储器业者透露,两大厂转换的速度是雷声大雨点小,传出良率不如预期,因此量产的时间点延后,也凸显40纳米世代的困难度,连老大哥都有不少难题要克服,因此2010年DRAM产业号称要以制程演进增加产出,恐怕位元成长率会不如预期。


值得注意的是,这次的40纳米世代大战,尔必达和美光都不会缺席,且在转换的时间点上相当接近。继尔必达和盟友力晶、瑞晶表示2010年要跳过50纳米制程,直接转45纳米制程后,美光阵营的华亚科和南亚科也宣布42纳米制程提前1季投产,将在年中转进42纳米制程。


华亚科总经理高启全表示,由于50纳米制程阶段,3家公司就已经开始用Immersion机台,因此转进42纳米制程的资金花费相对较少,且技术门槛相对较低,华亚科的计画是2010年中42纳米制程试产,年底通过认证,2011年42纳米制程进入大量,而下半年将会有50纳米制程打前锋。


华亚科也强调,美光的50纳米制程是正统且完整个1个世代技术,并非制程微缩下的产物,因此对成本结构相当有信心,预计3月开始大量投50纳米,预计10月旗下13万片产能可全数转换到50纳米制程,届时全数产出为2Gb DDR3产品。


尔必达的42纳米制程在2009年底宣布量产,瑞晶将在2010年第2季导入,力晶也表示,日前已和尔必达、瑞晶共同采购Immersion机台,为转进42纳米制程做暖身。


DRAM 业者表示,尔必达2010年省略50纳米,直接跳到45纳米世代,技术层次上算相当厉害,但短期要面临两个问题,第1是现有的65纳米技术不能做2Gb的 DDR3,第2是跳跃世代的技术导入,过去DRAM厂从未有此经验,因此良率和技术是否能顺利衔接,同业都相当好奇。


DRAM业者指出,随著尔必达和美光在40纳米世代上赶上进度,与三星和海力士的距离更加缩小,年底4大DRAM阵营可望回到同1个竞争起点,其中美光打著正统50、40纳米旗子,遇上尔必达这个擅长制程微缩的大军,两阵营厮杀会更加激烈。


责任编辑:电子信息产业网
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