设备与材料

首个功率半导体器件及应用创新中心将落户湖南

作者:电子信息产业网来源:中国电子报、电子信息产业网发布时间:2017-09-26 09:56我要评论

9月22日,湖南省IGBT产业对接会暨中国IGBT技术创新与产业联盟第三届学术论坛在株洲举行。本次会议由工业和信息化部电子信息司、湖南省经济和信息化委员会、株洲市人民政府、中国IGBT技术创新与产业联盟联合主办。

会上,株洲市人大党组书记、常务副主任刘光跃、工信部电子信息司集成电路产业处处长任爱光、中车集团通用机电事业部总经理张涛、中国IGBT技术创新与产业联盟理事长丁荣军分别致辞。湖南省经信委副主任陈松岭介绍了湖南省IGBT产业链的基本情况、发展思路、政策环境,表达了湖南省希望通过协同产业链上下游资源,共同推进我国IGBT产业发展的热切期盼。株洲市市委常委、常务副市长何剑波作推介发言,阐述了贯彻“中国制造2025”、建设制造强省的战略,建设“株洲·中国动力谷”,全力打造“3+3+1”产业新体系的目标愿景,表达了株洲市委市政府全力支持中车株洲所,在推进“中国制造2025”战略中当好排头兵的鲜明态度。

此外,IGBT产业链的10余家单位在会上签署框架协议,约定共同创建功率半导体器件及应用创新中心,创新中心将通过协同技术、人才、资金等资源,打通技术研发供给、商业化等链条,打破国外垄断,推动我国新型功率半导体技术的突破。为共同发展,促进IGBT的应用,株洲中车时代电气股份有限公司、国家电网公司、格力电器股份有限公司、中科院微电子所、湖南中车时代电动汽车股份有限公司等5家项目单位就IGBT产业合作进行了现场签约。

据悉,创新中心由中车时代电气、国家电网、南方电网、格力电器、中科院微电子所、中环半导体、湘投控股、时代新材、时代电动等业内知名单位共同参与组建,汇集企业、高校、科研院所、投资基金,通过打通产业链上下游,形成“材料-器件-装置-应用”的完整产业链,打造利益共同体,共同解决我国在功率半导体器件领域的共性技术。

功率半导体器件及应用创新中心的成立,将推动形成“技术创新-技术转化-规模化应用并获利-投资资金再创新”的闭合循环,构建优势互补、风险共担的体系化协同创新机制,推动创新成果在先进轨道交通、智能电网、消费电子、电动汽车等重要领域的产业化应用。


责任编辑:侯沁
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