设备与材料

最新InnoSwitch3系列 可将电源损耗降低25%%

作者:电子信息产业网来源:中国电子报、电子信息产业网发布时间:2017-09-14 11:33我要评论

新款InnoSwitch™3高集成度开关电源IC可进一步将损耗降低25%%,在宽范围的输入电压及负载条件下均可提供一致的高效性能 。

美国加利福尼亚州圣何塞,9月13日高能效电源转换的高压集成电路研发企业——Power Integrations公司发布InnoSwitch™3系列恒压/恒流离线反激式开关电源IC。新器件在任何输入电压及负载条件下均可提供94%%的高效性能,将电源损耗大幅降低25%%,并且可以设计出无散热片的紧凑型65 W电源。InnoSwitch3器件适合对能耗、外形尺寸或热约束提出严苛要求的电源,特别是那些必须符合强制性总能耗(TEC)标准的电源。

InnoSwitch3 IC产品系列针对三种特定应用提供三种版本:

CE:外部电流。采用外部输出电流检测,可提供精确的恒流/恒压调整率,从而提高设计灵活性。适合仅有单一输出电压的紧凑型充电器、适配器、物联网和楼宇自动化应用。

CP:恒定功率。适合USB功率传输(PD)、快速充电以及其他要求具有动态输出电压的应用。

EP:嵌入式电源。集成了该系列额定电压最高的MOSFET (725 V),可提供全面的输入电压及负载保护,并且具有出色的多路输出交叉调整率,适合要求严苛的工业控制及家电应用。

这些最新的反激式开关电源IC采用Power Integrations创新的隔离式数字通信技术 —— FluxLink™,此外还具有同步整流、准谐振开关以及精确的次级侧反馈检测和控制电路。这些特性可实现高效率、高精度和高可靠性的电源电路,并且无需光耦器。InnoSwitch3器件已通过CCC、UL和VDE安全认证,可安全地跨接于隔离带。InSOP™-24封装可提供高效散热的薄型方案,并且初级侧与次级侧具有更宽的11.5 mm爬电距离和电气间隙,可靠性更高,抗浪涌及ESD能力更强。新器件还集成了完善的保护特性,包括无损耗输入过压及欠压保护、输出过压保护、过功率保护、过流保护、过温保护以及输出整流管短路保护。

此外,新IC还提供子系列器件,根据每种目标应用空间的典型要求可选择锁存或自动恢复功能。所有InnoSwitch3 IC均集成了高压MOSFET(CP和CE系列采用650 V额定电压MOSFET,EP系列采用725 V额定电压MOSFET)。

Power Integrations产品开发副总裁Mike Matthews表示:“InnoSwitch3 IC为反激式电源设计带来了最新、最先进的技术方案。与我们之前效率极高的InnoSwitch产品相比,这些新器件的效率更胜一筹,可进一步将损耗降低25%%,在任何输入电压及负载条件下均提供一致的高效性能。InnoSwitch3 IC方案具有系统极为简单和元件数少的特点,可实现超紧凑的高可靠性电源,且应用范围十分广泛。”


责任编辑:liujichen

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