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半导体

安森美碳化硅工厂建成,晶圆产能增五倍

近日,安森美位于美国新罕布什尔州的碳化硅(SiC)工厂落成。据了解,该基地将使安森美到2022年年底的SiC晶圆产能同比增加五倍。此外,此次扩张建厂能够使得安森美掌握更完整的SiC制造供应链,使其具备SiC粉末和石墨原料的采购,以及将封装好的SiC器件进行交付的能力。

安森美表示,公司未来三年将实现40亿美元的SiC收入,2022年的SiC的收入将比去年增加两倍,并在2023年实现超过10亿美元的收入。

近年来,宽禁带半导体中的碳化硅技术变得愈发成熟,其应用领域也越来越广泛,其中在电动汽车领域的增长迅速,使得以Wolfspeed、安森美等为首的半导体大厂也开始不断加大SiC领域的布局。据了解,与传统硅功率半导体相比,碳化硅具备耐高温、耐高频和耐高压等特性,而传统的硅功率半导体器件,容易受到场强、禁带、能隙、热导率等限制,这也使得SiC功率器件在电动汽车领域广受关注。在特斯拉率先在Model 3牵引逆变器中采用SiC组件之后,SiC MOSFET开始逐渐取代电动汽车功率模块中成熟的硅IGBT,也使得硅与碳化硅应用之间的鸿沟开始逐渐缩小。

据了解,采用碳化硅芯片的电动车,能够使电驱装置的体积缩小为五分之一,电动汽车行驶损耗降低60%以上,相同电池容量下里程数显著提高。

安森美在此次公告中表示,预计SiC的潜在市场容量将从2021年的20亿美元增长到2026年的65亿美元,年复合增长率33%。可见,未来,碳化硅仍被高度看好。

责任编辑:沈丛


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