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半导体

比亚迪推出1200V 1040A SiC功率模块,模块功率再创新高!

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6月20日,比亚迪半导体宣布推出全新1200V 1040A SiC功率模块,据介绍,该功率模块克服了模块空间限制的难题,在不改变原有模块封装尺寸的基础上将模块功率提升了近30%,主要应用于新能源汽车电机驱动控制器。

据了解,此次比亚迪推出的全新功率模块采用了双面烧结工艺,即SiC MOSFET上下表面均采用烧结工艺进行连接,相比传统焊接工艺模块,新工艺连接层导热率最大可提升10倍,可靠性可提升5倍以上。该功率模块芯片上表面采用烧结工艺,因烧结层具有高耐温特性,SiC模块工作结温可提升至175℃,试验证明,其可靠性是传统工艺的4倍以上。可见,SiC模块功率的提升,也意味着工作效率大大增加,从而能打造更优质的新能源汽车平台。

随着电动汽车等产业的发展,功率器件的需求增长迅速。以SiC为基础的新一代功率器件有着体积小、耐压大、频率快等优点,近几年在新能源汽车领域获得了广泛关注。Yole预测,在汽车市场的强力推动下,2027年SiC器件市场将从 2021年的10亿美元增长到60亿美元以上,对于高功率的SiC功率模块的需求也将与日俱增。

业内专家表示,在宽禁带半导体技术中,目前碳化硅晶体的成熟度较高,因此碳化硅器件可采用同质外延路线,并覆盖目前市场上的全部电压,可以超越硅器件目前6500V的水平,达到上万伏,在汽车功率器件中,未来市场前景十分光明。根据测算,到2025年,新能源车领域用碳化硅衬底市场规模将达到102亿元,需求量达304万片。

责任编辑:沈丛


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