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半导体

英特尔、台积电等大厂加码, 2021年全球先进封装资本支出约119亿美元

近日,知名咨询机构Yole Developpement发布了最新数据。数据显示,2021年,全球半导体厂商在先进封装领域的资本支出约为119亿美元。其中,英特尔投入35亿美元发展先进封装技术,中国台湾的台积电在先进封装领域投入30.5亿美元,日月光在先进封装领域投入20亿美元,三星在先进封装领域的资本支出为15亿美元。中国大陆方面,长电科技和通富微电上榜,在先进封装领域的投入额分别为5.93亿美元和4.87亿美元。

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未来几年,先进封装的市场规模有望不断扩大。据Yole Developpement测算,预计到2027年,先进封装市场收入将达到78.7亿美元,高于2021年的27.4亿美元。预计2021年至2027年间,先进封装市场的复合年均增长率将达到19%。

从具体市场份额来看,预计到2027年,UHD FO (超高密度扇出)、HBM(高带宽显存)、3DS(3D内存封装)和有源硅中介层将占总市场份额的50%以上。与此同时,嵌入式硅桥、3D NAND 堆栈、3D SoC 和HBM(高带宽显存)的复合年均增长率将大于20%,市场增速最为明显。

就具体厂商而言,英特尔、台积电、日月光和三星在先进封装领域的资本投入较大。根据Yole Developpement统计,2021年,英特尔投入35亿美元,以支持Foveros3D封装技术和EMIB(嵌入式多芯片互连桥接)技术的发展;台积电在先进封装领域投入30.5亿美元,目前正在为3D片上系统组件定义新的系统级路线图和技术;日月光在先进封装领域投入20亿美元,该公司推出的Chip Last FOCoS先进封装已于2021年实现量产;三星作为3D堆叠内存解决方案的领导者,在先进封装领域的资本支出为15亿美元。

中国大陆方面,长电科技在先进封装领域的资本投入额为5.93亿美元,通富微电的资本投入额为4.87亿美元。

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图片来源:Yole Developpement

“先进封装技术作为超越摩尔定律发展的重要手段之一,实现不同工艺器件的一体化互连是当前电子系统小型化、实用化、多功能化的使能技术。”华进半导体封装先导技术研发中心有限公司副总经理、江苏省产业技术研究院半导体封装技术研究所常务副所长秦舒向《中国电子报》记者表示,随着芯片制程的进一步微缩,先进封装技术存在向晶圆厂转移的趋势,如台积电布局封测业务,并垄断高端封测领域,其InFO、CoWoS、SoIC技术锁定量少质精的高端芯片封装,晶圆厂降维整合封测技术对产业格局有着深刻的影响。

责任编辑:张依依


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