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半导体

全“芯”全意 “芯”存天宇 中天弘宇-自主原创先进存储技术发布会

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中天弘宇集成电路有限责任公司(简称:中天弘宇)于2021年8月22日在上海召开“自主原创先进存储技术”暨90nm BCD工艺平台上的MTP IP产品的发布会。中国工程院院士倪光南等专家,上海市、浦东新区等有关部门,国际半导体协会等行业组织,上海科创投、张江集团、浦东科创等有关方面,华虹集团、上海集成电路研发中心、新思科技、瑞萨电子、恩智浦、博世,南芯半导体、英唐智控、华大半导体、江波龙、紫光展锐、矽致微电子等一批产业链企业及投资机构,参加了中天弘宇本次的技术发布会。

倪光南院士在视频致辞中,高度评价中天弘宇“二次电子倍增注入浮栅”技术是一项重大发明,实现了中国存储器底层技术零的突破。希望中天弘宇与集成电路行业企业一起发奋努力,设计创新更多自主原创的产品,提高自主原创存储器的市场份额,解决存储器的被动局面。南芯半导体、英唐智控、华大半导体、江波龙、紫光展锐、矽致微电子等集成电路企业表示了对中天弘宇先进存储技术的持续关注和合作意愿。

中天弘宇张佳董事长回顾中天弘宇进入集成电路行业七年来的奋斗历程,对方方面面给予的支持表示感谢。中天弘宇副总裁、CTO聂虹先生介绍了“二次电子倍增注入浮栅”的原理及重大意义,以及与传统技术的区别及优势,并对中天弘宇未来技术及产品的发展规划做了介绍。

本次发布会还邀请新思科技中国董事长兼全球资深副总裁葛群、国际半导体产业协会中国区总裁居龙、南芯半导体市场总监刘崇和资深工艺专家官浩等,共同研讨了国内先进存储技术和产业化进展状况,针对产业链融合、工艺实现、市场推广、融资策略等方面,提出了真知灼见。

技术优势及背景资料

中天弘宇创造性地对闪存存储进行了重构,突破了20多年来阻碍闪存存储技术缩微扩容发展的瓶颈,使得其在同样的工艺条件下,可以做到大容量、小面积、低功耗,且有效的解决大规模数据存储、运行一体化的技术性难题,为人工智能、AI、新型FPGA等发展,提供可靠、高效的存储技术解决方案。

中天弘宇以“二次电子倍增注入浮栅”原理为基础,以自主、原创、可控的知识产权专利发明为契机,实现了中国存储芯片领域原创专利“零的突破”,并进一步拓展应用领域及国际市场,协同EDA工具、应用设计、制造、封装、测试一体化发展,为全球数字信息化浪潮提供优质的存储及存算一体化解决方案。

中天弘宇研发成功的新型快闪存储器具有以下突出的特性和前景:

■ 完整自主知识产权体系

■ 先进高效闪存研发成果

■ 创新存算一体解决方案

■ 关键环节配合协同发展

中天弘宇充分运用“二次电子倍增注入浮栅” 的物理现象,并利用其进行了创新结构设计,初步构建了拥有国内、国际完整自主知识产权专利的系列新型高性能快闪存储器产品,“在非易失存储领域属国际首创技术”。该项发明成果已在中、日、美、韩和中国台湾地区申请了成体系的原创性发明专利,其中多项核心专利已获批,专利体系化建设在不断完善之中。

中天弘宇“二次电子倍增注入浮栅”技术是一项前所未有的创新实践,先进存储技术在90nm技术节点流片成功是一个重要的里程碑。中天弘宇还将进一步积聚集成电路全行业工程技术专家的智慧,争取应用和市场持续不断的支持,开拓存储技术的运用范围,扩大存储器系列产品,为国家创造更多自主原创技术和产品。

责任编辑:沈丛


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