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半导体

英诺赛科一期投资80亿元8英寸氮化镓项目即将量产,氮化镓市场飞速发展

6月5日,位于汾湖高新区的英诺赛科(苏州)半导体有限公司举行量产暨研发楼奠基仪式,英诺赛科投资80亿元,用地213亩的一期项目正式开启大规模量产,预计2021年将实现产能6000片/月。项目全部达产后预计将实现年产能78万片8英寸的硅基氮化镓晶圆,年产值150亿元,利税15亿元以上。

英诺赛科总经理孙在亨指出,半导体硅材料在经过70多年的开发后,已经接近其材料极限,而氮化镓则具备未来产业发展所需的特性。在过去两年中,基于氮化镓的市场应用取得了很多突破,开始在消费电子、工业、汽车等市场全方位地渗透,尤其在快充、激光雷达、手机、5G、新能源汽车、无线充电和数据中心等领域发挥出巨大的潜能。“我毫不怀疑基于氮化镓的应用将是半导体未来十年增长最快的领域。” 孙在亨说道。

爱集微副总经理杨建荣介绍,氮化镓功率器件市场将从2020年的4600万美元增长至2026年的11亿美元,平均年复合增长率达70%。“与传统的硅器件相比,氮化镓分别在材料特性、器件特性、系统特性三方面有独特的优势。在材料特性方面,氮化镓的禁宽带度是硅器件的3~4倍,饱和电子漂移速度是硅器件的2~4倍,击穿场强是硅器件的11倍。在器件优势方面,氮化镓可以耐300℃以上的高温,且耐高压能力极强,在开关速度方面比硅器件快20倍。在系统优势方面,氮化镓易散热、体积小、损耗小,且能够释放的功率更大。” 杨建荣说道。

杨建荣认为,墓氮化镓的应用市场主要有三类,分别是超小型电源适配器的消费类产品;服务器、电源以及光伏等工业类产品;OBC、DC-DC等电动汽车类产品。“功率氮化镓的应用场景处于加速落地的阶段。以快充行业为例,在2019年的香港电子展中,有8款氮化镓充电器新品参展,在2020年2月的小米10发布会中,雷军展示了氮化镓黑科技,并推出65W的快充,截至2021年5月底,国内推出了近20多款30W的氮化镓快充,并开始普及中低端市场。” 杨建荣说道。

然而,目前中国氮化镓功率器件的应用市场还处于起步阶段,市场对于氮化镓的认可度还有待提升,且氮化镓自身的成本较高,目前难以应用普及。在未来,随着硅基氮化镓成本的降低以及可靠性的大幅提高,采用氮化镓材料的电子产业或将成为行业的主流。

据悉,随着成本的下降,GaN有望在中低功率领域替代二极管、IGBT、MOSFET 等硅基功率器件。以电压来分,0~300V是Si材料占据优势,600V以上是SiC占据优势,300V~600V之间则是GaN材料的优势领域。根据Yole估计,在0~900V的低压市场,GaN有较大的应用潜力,这一块占据整个功率市场约68%的比重,按照整体市场154亿美元来看,GaN潜在市场超过100亿美元。

责任编辑:沈丛


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