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半导体

三星电子计划投资170亿美元在美建厂追赶台积电

据相关文件和知情人士称,韩国三星电子(Samsung Electronics Co.)正在考虑投资至多170亿美元,在亚利桑那州、得克萨斯州或纽约州建设一家芯片制造工厂。

据其中一位知情人士透露,三星正对亚利桑那州凤凰城及周边两个地点、得克萨斯州奥斯汀及附近两个地点,以及纽约西部的杰纳西县一个大型工业园区进行考察。

三星电子拟德克萨斯州奥斯汀建厂生产3纳米芯片

彭博社消息指出,三星电子现在正商量选址德克萨斯州奥斯汀建立一家工厂,该工厂将来可以制造先进的3纳米芯片。他们的目标是,2021年开始芯片工厂的建设,2022年开始安装主要设备,然后最早在2023年开始运营。一位知情人士说,尽管投资额可能会波动,但三星的计划将意味着为该项目提供超过100亿美元的资金。

据报道,三星的工厂计划仍处于初期阶段,但已经采取了一些初步步骤。日经新闻在12月报道称,三星已经在奥斯汀获得了440,000平方米的地块,自90年代以来,它就一直在该地区生产。去年,市政府官员开始审查公司将土地重新划作工业用途的要求。达成交易可能取决于三星谈判备受争议的拜登政府的税收优惠和补贴,尽管彭博社报道说,如果没有这些优惠,三星也可能继续进行。

据日经新闻称,目前认为在奥斯汀生产的芯片仅限于不太先进的14纳米工艺节点。三星希望在2022年开始提供基于3nm处理器节点技术的芯片。传统上,这家韩国巨头的实力是存储芯片,但彭博社指出,智能手机和计算机处理器等逻辑设备市场更有利可图。

当被问及有关在美国设立工厂的计划时,三星在一封电子邮件中表示,尚未做出任何决定。

早前奥斯汀当地媒体透露,三星去年 10 月下旬向德州 Travis 郡申请,购买现址主要厂区旁的 258 英亩土地。三星于 1996 年在奥斯汀成立办事处,之后对奥斯汀半导体 (Samsung Austin Semiconductor LLC) 厂区进行了两次扩建,这里主要为客户代工 14 纳米、28 纳米及 32纳米的芯片。

三星在美国并未利用 EUV 光刻设备,来生产 7 纳米以下芯片,但一直传有相关的计划研议。

三星此次扩厂申请,很可能针对台积电在美国的业务拓展。去年 5 月,台积电宣布投资 120 亿美元,在亚历桑那州兴建新的 5 纳米工厂。

三星已经在内存芯片市场居领导地位,目前试图在利润更高的逻辑设备市场扩大市占。这使他们视台积电为首要竞争对手。

不过,三星可能已经落后于其最大的竞争对手,因为上周台积电在财报会上宣布将在投资大约200亿美元用于3nm、5nm、7nm等先进制程的研发。 

HMCSecurities高级副总裁GregRoh表示:“2030年,如果三星真的想实现成为顶级芯片制造商的目标,它需要在美国进行大量投资以赶上台积电。”台积电将在其亚利桑那州设立工厂,这家工厂将先进制程做到3nm,三星也可能会这样做。建厂中间最具挑战性的一项任务就是立即获得EUV设备的安全供应,特别是当Hynix和Micron也在寻求购买这类机器时。

三星公司的目标是,希望成为价值4000亿美元的芯片行业最大的公司。它计划在未来十年内向其代工和芯片设计业务投资1,160亿美元,旨在通过在2022年提供使用3纳米技术制造的芯片来追赶台积电。

责任编辑:沈丛


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