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半导体

12款高性能MEMS惯性传感器面市

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11月24日,第三届中国MEMS智能传感器产业发展高峰论坛在安徽蚌埠召开。论坛期间,中国兵器工业集团有限公司第二一四研究所召开了“MEMS成套工艺及高性能惯性传感器”产品发布会,正式推出了“基于微晶玻璃键合的SOI体硅工艺”“基于TSV-SOI的体硅工艺”等4套MEMS工艺体系。该工艺具有全硅低应力、亚微米高精度和晶圆级高真空封装等三大技术特色,可为用户提供一站式、全方位技术服务。

同时,该所还发布了12款高性能MEMS惯性传感器。此次发布的12款高性能MEMS惯性传感器包含高性能MEMS陀螺仪、高性能MEMS加速度计和特种装置用大量程MEMS开关三类。其中高性能MEMS陀螺仪产品4款,量程覆盖范围400°/s-4000°/s,零偏稳定性(10s平滑)(1σ)优于1°/h;高性能MEMS加速度计3款,量程覆盖范围±2g-±100g,零偏稳定性(10s平滑)(1σ)小于20µg;特种装置用大量程MEMS开关产品5款,量程覆盖5000g、20000g及以上。此次发布的12款高性能MEMS惯性传感器,其敏感结构及配套ASIC电路,为全国产化自主设计和生产,产品通过了中国仪器仪表学会组织的新产品鉴定,具有动态范围大、精度高、高量程、抗高过载能力强等优点。

责任编辑:诸玲珍


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