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半导体

采用Xtacking架构,长江存储启动64层3D NAND闪存量产

2019年9月2日,紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司(以下简称“长江存储”) 在IC China 2019前夕宣布,公司已开始量产基于Xtacking®架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存,以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。作为中国首款64层3D NAND闪存,该产品将亮相IC China 2019紫光集团展台。

长江存储64层3D NAND闪存晶圆

长江存储64层3D NAND闪存是全球首款基于Xtacking®架构设计并实现量产的闪存产品,拥有同代产品中最高的存储密度。Xtacking®可实现在两片独立的晶圆上分别加工外围电路和存储单元,这样有利于选择更先进的制造工艺。当两片晶圆各自完工后,创新的Xtacking®技术只需一个处理步骤就可通过数十亿根垂直互联通道(VIA)将两片晶圆键合。相比传统3D NAND闪存架构,Xtacking®可带来更快的I/O传输速度、更高的存储密度和更短的产品上市周期。

作为集成器件制造商(IDM - Integrated Device Manufacturer),长江存储致力于为全球客户提供完整的存储解决方案及服务,并计划推出集成64层3D NAND闪存的固态硬盘、UFS等产品,以满足数据中心,以及企业级服务器、个人电脑和移动设备制造商的需求。

长江存储一贯重视核心技术的自主研发和创新,Xtacking®技术的研发成功和64层3D NAND闪存的批量生产标志着长江存储已成功走出了一条高端芯片设计制造的创新之路。

今后,长江存储仍将持续投入研发资源,以通过技术和产品的迭代,使每一代产品都具备强劲的市场竞争力,更好地满足全球客户的需求。

长江存储联席首席技术官、技术研发中心高级副总裁程卫华表示:“通过将Xtacking®架构引入批量生产,能够显著提升产品性能,缩短开发周期和生产制造周期,从而推动高速大容量存储解决方案市场的快速发展。”程卫华还提到,“随着5G,人工智能和超大规模数据中心时代的到来,闪存市场的需求将持续增长。长江存储64层3D NAND闪存产品的量产将为全球存储器市场健康发展注入新动力。”

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长江存储核心厂区近况

注:

①每颗裸芯片的存储容量为256千兆字位,每个存储单元为三个字位的三维闪存。

②特指截止目前业界已上市的64/72层3D NAND 闪存。

③长江存储、YMTC,YM图形徽标和Xtacking是长江存储科技有限责任公司或其分子公司在中国和/或其他国家/地区的商标。

责任编辑:陈炳欣


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