半导体

格芯电子全球副总裁Mark Granger:技术差异化是集成电路产品创新的关键

作者:王伟来源:中国电子报、电子信息产业网发布时间:2018-11-16 14:02我要评论

11月16日,中关村集成电路设计园开园暨第二届“芯动北京”中关村IC产业发展论坛在北京召开。本次活动以“兴人才,芯未来”为主题,深入探讨新形势下全球集成电路产业发展趋势、人才培育与自主创新、产业趋势与资本融合。格芯电子全球副总裁Mark Granger发表了题为《差异化半导体技术的全球趋势及发展》的演讲。Mark Granger表示随着集成电路设计成本逐渐提高、摩尔定律逐渐放缓,技术差异化成为推动集成电路产品创新的关键。

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Mark Granger指出集成电路设计的成本正在逐渐增加。正经65纳米的设计成本较低,甚至低于5000万美金;而16纳米的设计成本达到了约1亿美金;如今7纳米的设计成本达到了3亿美金,而5纳米的设计成本预计会超过5亿美金。

在设计成本不断增加的同时,Mark Granger认为,摩尔定律正在逐渐放缓。他认为这一现象对于集成电路产业意味着需要用差异化的解决方案来构建架构、发展和创造新的产品。而格芯电子作为提供硅锗(SiGe)产品、FD-SOI技术(FDX)、CMOS及先进FinFET制程节点,并结合广泛的专用集成电路(ASIC)设计服务、封装及IP的公司,具有丰富和成熟的技术、产品供应。因此,格芯的差异化技术可以帮助合作伙伴生产独特的产品。

Mark Granger介绍到,格芯一直致力于追寻领先的技术优势。在2018年,格芯已经拥有了560亿的规模,预计到到2022年格芯将有望发展到6500亿的规模,拥有超过12纳米的大工厂。此外,Mark Granger还介绍了格芯的22FDX平台,22FDX工艺是22纳米的FD-SOI,可应用领域包括移动处理器、IoT、射频、毫米波和汽车等丰富的应用场景,其最大的特色就是超低的静态及动态功耗,可在0.4V电压下实现500MHz频率,这是业界电压最低水平。可应用于RF CMOS、RF SOI、mmWave、SiGe PA和SiGeP等生产商的产品。

谈到差异化技术,Mark Granger认为FinFET技术,不仅仅是数控化的密度,还有2F、模拟和存储将变得越来越重要。而格芯的RF技术堪称世界领先,Mark Granger表示格芯在FinFET技术节点上已经有DGF和数字产品,未来格芯还将推动它的进一步发展,继续推动现有148纳米的产品效能,和增加整体的密度和推动前沿技术的进一步发展。未来,合作伙伴也可以在此基础上创新各自的产品。

针对FDX平台,Mark Granger认为FDX对于物联网发展是一个非常棒的平台,格芯可以获得数字的紧凑度,在进一步减小规模尺寸的同时还兼具各种功能。帮助合作者开发整合RF等技术的低功率的芯片,已达到数个月甚至一年不换电池的结果。

最后,Mark Granger表示格芯在利用现有的技术的同事继续扩展现有技术的前沿,他希望格芯成为大家的优势选择、与更多合作伙伴在集成电路设计领域中通力合作,一起创新!


责任编辑:赵强
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