半导体

缩减三成芯片尺寸!全球首款96层4D NAND年内量产

作者:Oliver来源:集微网发布时间:2018-11-05 15:06我要评论

    集微网消息,SK海力士昨日宣布推出全球首款基于TLC(三级单元)阵列的96层512Gb CTF(电荷储存式快闪存储器)4D NAND闪存,采用3D CTF设计与PUC(Peri Under Cell)技术,并将在今年年底于近期完工的清州工厂M15进行量产。

    SK海力士将其3D CTF与PUC相结合,这与集成3D浮栅和PUC的方式不同。因此,该公司将该产品命名为“基于CTF的4D NAND闪存”,以区别于当前的3D NAND闪存技术。

    与SK海力士的72层512Gb 3D NAND相比,新开发的4D NAND缩减了超过3成的芯片尺寸,并将每个晶圆的钻头生产率提高了49%,并具有更高的读写性能。此外,其数据带宽翻了一番,达到业界最大的64KB。随着多栅极绝缘体结构的引入,其数据I/O速度在1.2V的工作功率下达到1,200Mbps。

    凭借96层512Gb 4D NAND,SK 海力士将在年内推出配备有该公司自己的控制器和固件的1TB客户SSD。另外,企业级SSD将在2019年下半年推出。公司也将在2019上半年引入UFS 3来应对高密度移动市场。此外,超高密度96层1TB的TLC和QLC也将在2019问世。

    SK海力士副总裁兼NAND营销主管JT Kim表示,这种基于96层CTF的4D NAND具有业界最高的成本竞争力和性能,将成为公司NAND闪存业务的里程碑,作为开发未来产品的平台,同时计划在今年内开始大规模生产,并进一步扩大M15的产量,以积极响应各种客户。

    近日SK 海力士曾宣称,为了应对2019年包括NAND Flash快闪存储器及DRAM的价格的下跌,公司决定不但将自2018年底前开始减少投资规模,还将监控并调整2019年的产能。


责任编辑:张心怡

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