半导体

中芯绍兴项目开工,发展半导体特色工艺制造

作者:陈炳欣来源:中国电子报、电子信息产业网发布时间:2018-05-24 18:28我要评论

5月18日,距离中芯国际与绍兴市相关方面签署合资协议仅79天,中芯集成电路制造(绍兴)项目举行开工奠基仪式。据悉,该项目将聚焦于微机电(MEMS)和功率器件等集成电路特色工艺制造,包括晶圆与模组代工,打造综合性的特色工艺基地。该项目的快速启动显示出中芯国际在加速推进先进工艺的同时,也在加强特色工艺部分的建设。

将打造特色工艺基地

资料显示,中芯集成电路制造(绍兴)有限公司由中芯国际、绍兴市政府、盛洋集团共同出资设立。合资项目总投资58.8亿元,将引进一条8英寸生产线,面向微机电(MEMS)和功率器件集成电路领域,专注于晶圆和模组代工,持续投入研发并致力于产业化。

从该项目的推进速度可以看出,中芯国际对其十分重视——合资双方在签署协议后仅79天就启动了开工奠基仪式。根据中芯国际透露出来的信息,项目建设将于2019年3月完成厂房结构封顶,9月设备搬入,2020年1月正式投产。

中芯国际联席CEO赵海军在奠基仪式上表示,中芯国际对这个项目充满信心,将尽力扩大市场份额、不断完善产品链,快速占据国内市场领导地位,使中芯绍兴与中芯国际实现产业链上的差异化互补和协同发展,打造一个国内领先的特色工艺半导体企业。

随着智能化社会的到来,物联网、车载、工控等应用领域市场蓬勃发展,基于特色工艺的MEMS与功率器件是智能化的核心之一,而要想实现MEMS与功率器件的开发与制造,成熟特色工艺的发展是必不可少的。日前在说明会上,赵海军也提到,中国市场面临巨大成长机遇,尤其消费电子与物联网普及应用,中芯要占好区位优势。

坚持“两条腿走路”策略

中芯国际一直在坚持“先进工艺与成熟工艺两条腿走路”的发展策略。在先进工艺方面,日前中芯国际表示将在2018年下半年量产28nm HKC+工艺,2019年上半年开始试产14nm FinFET工艺。其实,成熟特色工艺也一直在中芯国际的发展中占有重要地位,在公司营收及获利上均占据半壁江山,满足客户的大量需求。

特别是随着物联网的兴起,特色工艺的重要性正日渐凸显。物联网市场是半导体行业的重点应用领域,不需要依赖先进工艺制程,其产品设计和制程模式在成熟工艺下将非常匹配中国国内企业。对于中国半导体公司来说,由于与国际先进水平存在着1.5到2代的代差,因此在工艺平台开发之初,就不能把力量仅仅集中在标准工艺上,同时也要关注特色工艺的开发。对于特色工艺需求增温,不单是中芯国际,国内其他半导体制造公司也都非常重视特色工艺领域。中国企业应对市场的策略是专注先进工艺开发,同时在特色工艺上深耕细作,确保在业界的竞争力。

这些年以来,中芯国际在特色工艺上也有很多突破。资料显示,中芯国际的IGBT平台从2015年开始建立,着眼于最新一代场截止型(Field Stop)IGBT结构,采用业界最先进及主流的背面加工工艺,包括Taiko背面减薄工艺、湿法刻蚀工艺、离子注入、背面激光退火及背面金属沉积工艺等,已完成整套深沟槽(Deep Trench)+薄片(Thin Wafer)+场截止(Field-Stop)技术工艺的自主研发,并相应推出600V~1200V等器件工艺,技术参数可达到业界领先水平。

在MEMS方面,中芯国际的MEMS方案主要集中在两大主流应用领域,一是MEMS麦克风,是开放式结构,目前已经进入量产;二是惯性传感器,是封闭式结构,于2016年第二季度进入量产。

竞争压力同样巨大

尽管中国代工企业在特色工艺方面取得了很快的发展,可是面临的竞争压力同样巨大。与国内厂商在14/16纳米、28纳米等先进工艺节点上面临台积电南京厂与厦门联芯的竞争相似,国内厂商在物联网等特色工艺上面临的国际企业竞争也越来越大。

格芯在成都投资晶圆生产线,第一期建设CMOS工艺产线,主要为180纳米和130纳米,引自新加坡技术,产能每月2万片,预计2018年年底投产;第二期22纳米FD-SOI技术,引自德国技术,产能每月6.5万片,2019年下半年投产。一期二期完成后,总产能将达到8.5万片/月。FD-SOI技术具有低功耗、低成本优势,对国内特色工艺市场需求有着极大吸引力。其应用行业主要集中在移动、物联网(如NB-IoT、GPS、NFC等)、射频以及汽车电子(如微控制器、传感器及ADAS系统)等方面。

此外,三星电子日前也宣布开始对外提供成熟的8英寸晶圆代工技术解决方案,为中小型企业提供多项目晶圆服务(MPW)。解决方案主要在eFlash、显示器驱动IC、指纹传感器、RF/IoT等领域,并且在成熟的180nm、130nm、90nm技术之外,还包括了 65nm的eFlash以及70nm的显示器驱动IC的解决方案,其目标同样是在积极争抢中国特色工艺代工市场。

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责任编辑:赵强
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