半导体

集邦咨询:中国发改委调查存储器价格添变数,行动式内存恐首当其冲

作者:电子信息产业网来源:中国电子报、电子信息产业网发布时间:2018-01-08 09:55我要评论

集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出,目前正是DRAM与NAND Flash等各类别存储产品议价的关键时期,但由于近期中国国家发改委约谈三星半导体,可能将对存储器价格走势带来变量,预期行动式内存涨幅将较为收敛。

DRAMeXchange研究协理吴雅婷指出,从每单位容量来看,2017年DRAM价格上涨超过四成,同期NAND的价格上涨幅度也逼近四成水位。该事件的起因为中国智能手机厂商无法承受内存持续涨价,因此向中国发改委投诉,希望能够抑制后续以三星为首的内存厂商价格涨势,并且清查其是否有垄断的疑虑。根据DRAMeXchange资料,三星去年第三季在全球DRAM产值的市占率为45.8%%,为全球第一;NAND产值的市占率约为37.2%%,同样是产业龙头。

服务器内存涨价将持续,行动式内存第一季涨幅缩小为3%%

就DRAM市场不同的产品类别来看,虽然中国地区的PC以及服务器厂商同样对价格上扬感到不满,但由于产品本身的获利还能够维持,在不积极增加单机搭载内存容量的策略之下,还可以有效控管成本。尤其以目前最为缺货的服务器内存而言,自去年第三季度起,随着北美数据中心建案导致供货吃紧进而带动涨幅,整体备货动能超出预期。

展望今年上半年,因原厂对产能计划趋于保守,实质新产能开出将落于下半年,导致上半年供给仍然受限,整体市场仍然吃紧;虽然市场传出中国发改委介入价格制定的消息,但对于价格涨幅并不会有太大的影响,预期在今年上半年服务器内存价格仍然会延续涨价的走势。

不过,今年第一季行动式内存价格可能会有较明显影响。在中国智能手机出货疲弱的大环境影响下,虽然整体DRAM仍呈现供货吃紧的状态,但以三星为首、率先调整对中国智能手机厂商的报价,行动式内存的涨幅已较先前收敛,从原先的5%%的季成长缩小为约3%%。

由于中国在近年内已成为内存产出的最大出海口,不管是内陆或是外销,透过中国所购买的内存比重持续增加,因此官方的介入恐怕对价格产生实际的变化。以三星半导体为例,在去年一整个年度,中国地区贡献内存事业处的营收就已超过五成,因此对中国政策的改变维持很高的关注程度。

发改委介入调查,三星可能将改变出货比重并提前扩产计划

就三星本身而言,所有产品类别中,DRAM平均销售单价(per Gb)以行动式内存产品最低,尤其明显低于服务器内存与绘图用内存,发改委的介入使得三星无法大幅度调涨行动式内存价格,在获利空间的考虑下,三星以及其他的DRAM供货商会更快速地将产能移转到获利较高的产品出货,使得后续行动式内存的出货比重进一步下修的可能性高。

除此之外,若相关行政力量的影响持续存在,三星为抑制DRAM价格的涨幅,不排除可能提前其DRAM扩产计划。三星关注度最大的平泽厂二楼,原先预定在今年下半年才会大幅投片,但为了减缓价格涨势,三星可能提前其扩厂速度,不过截至目前,三星尚未做出最终决定。

另外,以NAND Flash而言,不论在SSD、eMMC/UFS,还是晶圆/颗粒上,由于本身市场就普遍预期价格逐渐下滑,并且三星在上述应用市场的影响力不如在DRAM强势,所以发改委事件对于NAND的报价并没有显著的影响。DRAMeXchange指出,2018年上半年需求不如预期,但3D产能仍不断开出,市况将转变成供过于求,导致NAND Flash价格持续走跌的机率升高。


责任编辑:陈炳欣

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