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半导体

长春国科精密推动国产深紫外光刻机取得重大进展

在日前召开的“ICChina2017”博览会期间,长春国科精密光学技术有限公司展示了最新研发成功的EpolithA1600型曝光光学系统。该产品是国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”(简称:02专项)的核心研究成果之一,是我国首套具有全部自主知识产权的90nm节点光刻机的曝光光学系统。Epolith A1600型曝光光学系统的研制成功,标志着我国超精密光学技术跻身国际先进行列,也意味我国半导体装备行业取得关键性的进展。

促进半导体装备取得重大突破

曝光光学系统有光刻机“心脏”之称,是光刻机技术难度的集中体现。早在2007年“02专项”启动90nm节点曝光光学系统立项论证,2009年项目获批启动。长春国科精密光学技术有限公司研制的Epolith A1600型曝光光学系统成为“国家科技重大专项02专项”的核心研究目标。根据相关介绍,该套系统包括照明系统与投影物镜系统两大组成部分,其工作原理为:193nm ArF准分子激光首先由照明系统进行整形和匀光后为掩模面提供特定模式照明,经照明后的IC掩模图形经投影物镜以极高分辨率和极低畸变成像到涂胶硅片面上,最终实现IC掩模图形的完美复制。

为实现上述并满足光刻机工艺要求,该套曝光光学系统具有大数值孔径、大视场、高速动态补偿能力、极高的热学/动力学像质稳定性、离轴照明、高均匀性照明等特点。据介绍,长春国科精密采用面向复杂产品研发的集成化产品开发(IPD)策略及基于产品全生命周期管理的系统工程理念,成功实现了首套国产高端光刻机曝光光学系统的研制与交付。2017年07月15日,在我国首台全国产90nm光刻机样机上成功实现了90nm工艺节点的曝光试验。Epolith A1600型曝光光学系统的研制成功,标志着我国超精密光学技术跻身国际先进行列,并为浸没式光刻机曝光光学系统的研发与产业化奠定了良好的技术与产业化基础。

中国半导体行业协会副理事长、中科院微电子所所长叶甜春在IC China高峰论坛上表示,发展装备是为了壮大本土供应链支撑半导体制造行业的发展,国内装备在薄膜、溅镀、刻蚀工艺领域都已经取得突破进展,但目前最前端的光刻机仍是最困难的一个环节。

中国首套光刻机曝光系统研发,可以说是目前是全世界难度最高的超精度技术,尤其在超精密光学领域, 需要关键技术自主研发。科技部原副部长、02专项光刻机工程指挥部组长曹健林表示,目前90纳米检测已经达到要求,希望未来五年内应可顺利验收完成。

搭建超精密光机系统研发与制造平台

长春国科精密在成功开发科技项目,建成具有国际水平的超精密光机系统研发与制造平台的同时,也培养了一支高素质研发团队。这个团队成员多为“80后”组成,致力于高端光刻机光刻光学、投影光学、显微光学、多光谱信息融合成像探测等相关产品研发,并为国内外客户提供相应高端光学仪器产品、装备及系统级解决方案。

据了解,长春国科精密目前正在开展NA0.82、NA1.35等多种类型光刻机曝光光学系统的技术研发及产业化推进工作,旨在满足集成电路装备领域的国家产业化战略需求。此外,公司还将致力于为高端光机制造、高端医疗、高端显示、电力、铁路、虚拟现实等领域的高端客户提供成熟产品、高端制造服务及系统级解决方案,具体包括面向高端光学制造领域的高端光学加工机床和光学检测设备;针对生物医疗领域的高端显微光学系统;针对高端显示领域的4K激光投影镜头、高性能投影设备;针对电力/铁路领域的高压电力绝缘损伤日盲紫外成像探测设备及日盲紫外成像模组;针对虚拟现实领域的光机模组;针对其他高端用户的光机系统级解决方案等。

责任编辑:陈炳欣


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