半导体

“英诺赛科八英寸硅基氮化镓项目战略研讨会”召开

作者:陈炳欣来源:中国电子报、电子信息产业网发布时间:2017-06-16 10:46我要评论

日前,“英诺赛科八英寸硅基氮化镓项目战略研讨会”正式召开。与会专家为英诺赛科(珠海)科技有限公司主导建设的中国第一条“八英寸硅基氮化镓功率器件生产线”进行投产前的战略发展规划。中国电科集团前副总经理赵正平,北京电子商会原常务副会长、中国信息化推进联盟专家顾问李国庆,发改委国家战略新兴产业联盟秘书长陈东升等约40人参加了此次会议。

与会专家充分肯定了珠海高新区抢先布局第三代半导体这一国家战略新兴产业,并就宽禁带半导体器件开发、产业化进展以及应用开发等产业技术热点进行了深入交流,形成几点结论:首先,氮化镓外延晶圆及功率电子器件属国家支持的战略新兴产业,符合国家重点扶持的政策方向,为多项先进技术的核心与基础,将广泛应用于智能通讯、新能源汽车、IT与消费类电子、家电、智能电网等领域,产业前景广阔,市场空间巨大。其次,英诺赛科掌握第三代半导体材料氮化镓晶圆及功率器件制造的核心技术,抢先布局“八英寸硅基氮化镓项目”,占据产业链核心位置,解决我国半导体产业的技术瓶颈,带动上下游技术应用产业发展,助力智能制造。最后,相关技术团队在外延生长、器件设计、芯片制备、器件检测和其他相关方向具备多年研究和产业化经验,技术优势突出。

此外,与会专家还就建设项目的技术细节和市场应用,包括可靠性测试、产品良率、良率的标准、晶圆尺寸问题、驱动问题、产品价格等,提出了指导性意见并进行论证,建议针对未来市场需求和拓展,牵引和策划新机遇,开展新器件的应用演示验证相关工作,营造氮化镓器件设计制造和应用的生态圈。电科战略研究中心在相关设备,材料,设计,制造及雷达,新能源汽车等领域尽量促进有关合作。经专家评审论证,英诺赛科完全具备投产“八英寸硅基氮化镓晶圆与芯片”条件,同意尽快量产。


责任编辑:陈炳欣
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