半导体

2017年DRAM出货成长率或将低于20%%

作者:电子信息产业网来源:DIGITIMES发布时间:2017-02-20 09:57我要评论

一般估计,DRAM的位元出货成长率(bit growth)低于40%%,DRAM厂商便可获利,而2017年因为大厂没有新的投资计划,DRAM的出货成长率甚至可能低于20%%,所有的大厂都可能因此受惠。这也是DRAM产业成形以来,出货成长率首度可能低于20%%的年份,不少人甚至认为,DRAM将有个不算短的好光景。

三星电子(Samsung Electronics)高层最近提到,2017年位元成长率可能为15~20%%,对于2017年的获利,抱持着高度的期待,而美光(Micron)也在2016年底的法说会上,提出类似的看法,SK海力士(SK Hynix)则指出,DRAM投资转向NAND Flash,因此DRAM的供应量,将于低于需求量的成长率。在DRAM大厂多数的异口同声下,遥遥领先的三星,当然可以好整以暇等待大笔获利入袋。

深究近期DRAM没有新投资,关键在于技术尚未突破,生产线转换并无意义。回顾1990年代,甚至2000年开始的前5年,全球DRAM市场的位元成长率动辄70~90%%,造成大家流血竞争,直到全球DRAM市场整合为三星、海力士、美光三大厂后,成长率就维持在25~30%%,市场景气与获利状况,开始进入黄金阶段。

在NAND Flash的位元成长率方面,三星估计是30~35%%,美光则认为35~40%%,与2016年的40%%相去不远。目前厂商将资源集中于3D NAND的投资,但技术上的突破十分困难,要大量增加供给也非常困难,市场上对于固态硬碟(SSD)的需求未曾减少,估计2017年也可能是个丰收年。

预期三星、SK海力士两大半导体获利,在2017年有机会挑战30兆韩元(约263亿美元)的新高水准。除了记忆体价格上扬之外,晶圆代工的商机也备受期待。

根据市场的判断,三星2017年的获利,将比2016年成长60%%,SK海力士甚至可能倍数成长,预期的获利都是历史新高。回顾过去1年,记忆体价格从2016年中开始稳定上扬,预期2017年第2季PC DRAM价格虽有可能下滑,但因技术瓶颈,供给没有增加,所以第3季便可能回稳。

过去月产能15万片晶圆的12吋DRAM厂,投资金额在4亿~5亿美元,但现在需要8亿~9亿美元。另外,3D NAND因为伺服器与存储设备的需要,SSD商机稳定,价格也不会有太大的波动。三星由System LSI部门领军的晶圆代工事业,因为稳定掌握高通(Qualcomm)的订单,预期2017年也会是个丰年。估计SK海力士2017年营收为23.3兆韩元,获利7.8兆韩元,三星半导体则是营收64兆韩元,获利21.5兆韩元,营业利益率将超过30%%。

三星半导体研究所长郑恩胜,日前在江原道举办的南韩半导体技术大会中担任主讲人,指出以现有的技术到2030年为止,半导体的线幅还可以持续的缩小到1.5nm,但DRAM必须找到新的物质,如果在化学材料上难以突破,届时到了2021年,DRAM技术的开发便会遭遇撞墙的障碍。目前三星掌握的最新DRAM技术是18nm制程技术,而往下走到10nm便已经困难重重。

另一方面,郑恩胜在介绍新技术时,特别强调正在研发的STT-MRAM技术,三星将以单晶片的嵌入式设计,来实现新技术的应用。郑恩胜在会场展示三星搭载显示面板上的时序控制器(time controller)。此外,三星也介绍了整合影像感测器、逻辑IC、DRMA的三合一晶片,未来将会运用于智慧型手机非常关键的超高速照相功能上。

市调机构也预估,2017年全球半导体市场的规模,将可比2016年成长7.2%%,而世界半导体贸易统计协会(WSTS)估计是保守的3.3%%。一般后端设备的供应商认为,3D NAND与晶圆代工厂会是2017年设备投资主力,估计设备市场将可达434亿美元,成长率为9.3%%。全球各大市场中,台湾以102.2亿美元(23.5%%)的比重独占鳌头,而南韩也有97.2亿美元(22.4%%),屈居第二。但如果加上三星在洁净室、新厂的投资,南韩可能会是2017年全球半导体资本支出最大的国家,

日前国际半导体产业协会(SEMI)公布,2017年三星将投资近100亿美元购买半导体设备,规模堪称全球业界之最,主要集中于3D NAND、大陆及南韩平泽。然而三星是否会因为李在镕入狱,影响到2017年的投资速度?业界应密切注意。


责任编辑:刘静
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