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半导体

三菱电机携八款功率器件在PCIM Asia 2016隆重登场

三菱电机(www.MitsubishiElectric-mesh.com)今年继续以“创新功率器件构建可持续未来”为主题, 携带八款新型功率器件,于6月28至30日在上海世博展览馆举行的PCIM Asia 2016(上海国际电力元件、可再生能源管理展览会)中登场,向公众展示其在功率半导体市场上的非凡实力(三菱电机展位号:B15)。

今年展出的功率器件应用范围跨越四大领域,包括:变频家电、轨道牵引及电力传输、电动汽车、工业和新能源发电,致力为客户提供高性能及低损耗的产品。

变频家电市场

在变频家电应用方面,三菱电机这次在去年推介的SLIMDIP模块的基础上,开展出SLIMDIP-L和SLIMDIP-S两款产品,SLIMDIP-L用于变频洗衣机和变频空调,而SLIMDIP-S用于变频冰箱和变频风机控制。

两款SLIMDIP均采用RC-IGBT芯片,实现更高的集成度;封装面积比超小型DIPIPMTM缩小达30%%;内置自举二极管和限流电阻;最大运行壳温提升至115℃;并集成短路保护和欠压保护,同时提供温度模拟量输出版本和过温保护版本供选择。

SLIMDIP模块

轨道牵引及电动汽车驱动市场

在PCIM 亚洲展2016上,三菱电机为轨道牵引和电力传输,以及电动汽车领域,带来三款功率模块,分别为X系列的单管及双管HVIGBT模块,适合牵引变流器及直流输电应用;而J1系列汽车用IGBT模块则适用于电动汽车驱动器,及高可靠性逆变器。

首次亮相展会的X系列双管HVIGBT模块,采用CSTBTTM 结构的第7代IGBT和RFC二极管,降低功率损耗;运用可降低内部电感的封装技术,优化产品性能;使用两种封装(LV100/HV100),实现两种绝缘耐压(6kV/10kV),但两者具有相同的外形尺寸。LV100封装包括900A/1.7kV和450A/3.3kV;HV100封装包括450A/3.3kV、330A/4.5kV和225A/6.5kV;可提高系统结构设计的灵活性,方便实现逆变器扩容。

LV100封装(6kV绝缘耐压) HV100 封装(10kV绝缘耐压)

至于X系列单管HVIGBT模块,采用第7代IGBT和RFC Diode硅片技术,实现更低饱和压降和开关损耗;使用LNFLR技术实现低热阻; 允许最高运行结温150℃;安全工作区(SOA)裕度大,续流恢复能力强; 封装兼容传统的H系列HVIGBT;标准产品包括1800A/3.3kV、1350A/4.5kV和900A/6.5kV;此外,还有业界规格最大,针对电力传输应用而开发的6500V/1000A单管HVIGBT。

X系列单管HVIGBT模块

J1系列汽车用IGBT模块是专为电动汽车驱动器,及高可靠性逆变器设计,采用Pin-fin底板的六合一汽车用IGBT模块。它使用第7代IGBT硅片技术,损耗更低;高可靠性的DLB(直接主端子绑定)技术;及基于硅片的温度和电流检测技术。J1系列提供A、B两种封装。A型封装(小封装)有300A/650V、600A/650V、400A/900V和300A/1200V;B型封装(大封装)有1000A/650V和600A/1200V,这两种封装可以满足从小型电动汽车到大型电动公交车的应用要求。

针对J1系列新型汽车模块,三菱电机将提供包括驱动电路、冷却水套及薄膜电容的整体解决方案技术支持,以方便客户快速应用该模块实现汽车用逆变器的设计。

J1系列A封装

J1系列B封装

工业市场

针对工业应用市场,三菱电机将展出第7代IGBT模块、整流逆变制动一体化智能功率模块DIPIPM+,G1系列智能功率模块(IPM)。

第7代IGBT模块,可以应用在通用变频器、伺服驱动器及不间断电源。它采用了第7代IGBT硅片和二极管硅片,降低损耗;具有650V、1200V和1700V三种电压等级;涵盖模块电流75A至2500A;兼容现有市场主流产品封装;提高产品热循环寿命和功率循环寿命;采用预涂热界面材料(PC-TIM),与传统硅脂相比,模块与散热器的接触热阻降低70%%;NX封装具有焊接方式和压接方式两种控制端子可供选择。

第7代IGBT模块 预涂热界面材料 压接端子

整流逆变制动一体化模块DIPIPM+,适合通用变频器、伺服驱动器和商用空调压缩机驱动。它完整地集成整流桥、逆变桥、制动单元以及相应的驱动保护电路, 采用第7代CSTBTTM硅片;内置短路保护、欠压保护功能以及温度模拟量输出功能;另内置自举二极管及自举限流电阻; 提供额定电流覆盖50A/600V和5~35A/1200V。采用该款模块设计通用变频器,可以最大程度地简化PCB布线设计,缩小基板面积,是小功率变频器低成本化的最佳解决方案。

整流逆变制动一体化模块DIPIPM+

G1系列IPM,针对高端变频器、伺服电机驱动器的应用而设计。它采用了第7代 IGBT和FWDi芯片,实现更低损耗;使用更适合伺服驱动器的窄长形封装;控制端子与现行L1 系列兼容,适用同样的接口电路;针对不同的保护动作,输出不同的故障识别信号;额定电流覆盖25A~200A/1200V。

G1系列智能功率模块(IPM)

新能源发电市场

为满足新能源发电特别是光伏发电的市场需求,三菱电机向客户大力推介第7代IGBT模块及大功率三电平逆变器用单管IGBT模块。

针对大功率光伏逆变器及大功率不间断电源,三菱电机推出大功率三电平逆变器用单管IGBT模块。它采用第6代和第7代IGBT硅片,实现低损耗;可以根据不同需要组建I型或者T型3电平拓扑;具备低杂散电感(1单元模块8nH,两单元模块12nH);高绝缘耐压达4000Vrms/1分钟;最大结温可达175℃;最大电流等级达到1400A/1200V和1000A/1700V。

大功率三电平逆变器用单管IGBT模块

三菱电机大中国区半导体总经理四个所大亮先生称:“三菱电机既如过往,一直秉持可持续发展信念,不断研发高性能、高可靠性及低损耗的前沿功率器件,来满足电力电子市场持续不断的需要。”

三菱电机机电(上海)有限公司简介

三菱电机创立于1921年,是全球知名的综合性企业集团。在2015年的《财富》500强排名中,名列第291。

作为一家技术主导型的企业,三菱电机拥有多项领先技术,并凭强大的技术实力和良好的企业信誉在全球的电力设备、通信设备、工业自动化、电子元器件、家电等市场占据着重要的地位。

三菱电机机电(上海)有限公司把弘扬国人智慧,开创机电新纪元视为责无旁贷的义务与使命。凭借优越的技术与创造力贡献产业的发展以促进社会繁荣。

三菱电机半导体产品包括三菱功率模块(IGBT、IPM、DIPIPMTM、HVIGBT、MOSFET等)、三菱微波/射频和高频光器件、光模块等产品,其中三菱功率模块在电机控制、电源和白色家电的应用中有助于您实现变频、节能和环保的需求;而三菱系列光器件和光模块产品将为您在各种模拟/数字通讯、有线/无线通讯等应用中提供解决方案。

责任编辑:赵晨


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