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半导体

高通骁龙820处理器将采用三星第2代14nm FinFET工艺

三星电子于2016年1月14日宣布,已开始采用14nm LPP(Low-Power Plus)工艺进行量产(英文发布资料)。14nm LPP是该公司的第2代14nm FinFET工艺。

第1代是14nm LPE(Low-Power Early)工艺,已被用于三星2015年第一季度发布的智能手机应用处理器“Exynos 7 Octa”等产品。据三星介绍,此次的LPP工艺调整了LPE工艺的晶体管结构和制造工序,性能提高了15%,耗电量降低了15%。

三星此次还公布了14nm LPP的应用对象。三星宣布,在该公司的IC中,“Exynos 8 Octa”将采用14nm LPP工艺生产(参阅本站报道)。以前只是宣布采用14nm FinFET工艺。

三星还宣布,将利用14nm LPP生产高通的新一代高端应用处理器“骁龙820”。虽然以前就有传言称骁龙820将采用14nm FinFET工艺制造,但这次是第一次正式宣布采用14nm LPP工艺。

据高通介绍,计划配备骁龙820的终端已超过80款(参阅本站报道)。例如,乐视将提供配备骁龙820的支持IEEE 802.11ad的终端。此次三星的发布资料显示,配备骁龙820的终端将于2016年上半年上市。(记者:小岛 郁太郎

责任编辑:刘静


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