半导体

两岸存储业携手 NAND闪存取得突破进展

作者:电子信息产业网来源:中国电子报、电子信息产业网发布时间:2015-05-14 16:59我要评论

我国存储产业不断取得突破进展。继2014年9月中芯国际宣布38纳米NAND闪存代工制造工艺就绪之后,近日芯片设计公司也浮出水面。由中国大陆希格玛公司和台湾宜扬科技合资成立的专业闪存设计公司宜希格玛公司总经理石奉先表示:“我们已在去年开发出首款单级单元(SLC) 3V及1.8V 4Gb NAND闪存组件,成为中国大陆第一家独立自主研发出4Gb NAND闪存组件的集成电路设计公司。未来将进一步与中芯国际进行策略合作,实现在NAND闪存上的突破。

宜希格玛科技推NAND闪存

存储芯片是集成电路最重要的领域之一,对电子产品来说,它就像粮食一样不可或缺,哪里有数据哪里就需要存储。资料显示,存储芯片占半导体产业总产值的22%%、占晶圆产能和资本支出的近1/3。以2Gb颗粒来换算,2014年中国市场NAND的消化量高达35.18亿颗,占全球产能的20.6%%,而且伴随大数据、物联网等新兴产业的发展,对存储芯片的需求还将进一步增多。为此,我国积极推进存储芯片的国产化进程,2014年发布的《国家集成电路产业发展推进纲要》中特别指出要发展新型存储等关键芯片产业,抢占未来发展的制高点。此前,中芯国际、武汉新芯等晶圆代工厂已推出多个节点的存储芯片制造工艺,同时大陆企业在NOR闪存的设计开发上也取一定进展。然而,在占市场主流地位的NAND闪存上,中国大陆企业的进展却一直不多。

因此,本次宜希格玛科技在4Gb NAND闪存上的研发成功,在一定程度上填补了中国大陆存储产业中的一块空白。石奉先表示:“现在公司已经可以向客户提供更完整的 NAND 闪存产品解决方案,除了自主设计的4Gb,我们还将推出由中芯国际制造,并由宜希格玛进行测试与封装的 1Gb 和 2Gb产品,包含3V及1.8V 两个系列,采用工业标准的48接脚TSOP封装,以及63焊球VFBGA封装,并推出 NAND-based MCP 产品同时满足嵌入式及无线网络市场的广泛应用需求。”

“宜希格玛还计划在今年第二季度出样1Gb与4Gb单芯片SLC NAND跟MCP产品,而2Gb方案预计在今年第三季出样。开发的系列产品可承受 -40℃至85℃的工业级宽温范围,并可提供10万周期的耐受度。我们也规划2x纳米产品的设计,预计在明年度推出2x纳米产品。” 石奉先进一步指出。

两岸携手将获更多机会

当前全球存储产业高度集中,市场主要掌握于韩国、北美厂商手中,此外我国台湾地区也有部分企业从事存储芯片的开发与生产,推进存储产业的发展并不容易。据了解,宜希格玛科技有限公司是2014年由中国希格玛有限公司和台湾宜扬科技股份有限公司合资成立的。中国希格玛有限公司成立于1986年,原隶属中国科学院,1993年重组成为一家全国性、跨行业、以投资为主的大型股份制企业;宜揚科技成立於台灣, 为排行全球前十的专业閃存设计公司。双方结合各自擅长的工程研发与销售能力瞄准中国庞大的市场需求,期望打破长久以来由国外供货商独占市场的态势。

“中国大陆是全球最大的电子产品生产基地,虽然目前三星、现代、美光三大企业占据主导地位,但是依然存在很大市场空间。台湾地区在存储芯片上具有产业基础和一定的人才技术优势,两岸携手将在发展存储产业上获得更多的机会。”石奉先认为。

从低容量切入

从市场机会上看,三星、东芝、海力士、美光目前正在全力抢攻高容量NAND 闪存,退出低容量NAND,但在物联网快速崛起下,低容量NAND Flash需求仍在增长,去年开始已呈现出供不应求的状况。低容量NAND Flash芯片主要是指8Gb容量以下产品,主要应用于电视、机上盒、车用电子等市场。

因此,尽管国际市场上,存储产业寡占格局日益形成,但是依托中国大陆广阔且相对细分的市场需求,从低容量做起,逐渐向高密度高容量发展,依然有很大发展机会。“宜希格玛公司未来将以物联网等智能设备、M2M等网络设备、安防系统等控制设备、社交流媒体等媒体共享平台为主要市场,重点发展在SLC NAND、1.8V NAND MCP、SLC SPI NAND等市场需求的产品。”石奉先表示。


责任编辑:电子信息产业网
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