应用材料公司副总裁及硅系统部总经理Randhir Thakur：
3D技术需材料及工艺革新

在移动计算和通信中的创新将继续驱动半导体设备行业的进步。为了能制造出新的令人兴奋应用的高性能芯片，代工/逻辑和存储的客户的半导体制造从光刻2D晶体管和2D NAND材料迁移至3D晶体管和3D NAND。这些器件结构的变化需要进行适合的材料沉积、去除和改性等精密材料工程的配合。选择材料的工艺将发挥更突出的作用。更小的特征尺寸和原子水平的薄膜生长也使界面工程和工艺集成比以往任何时候都重要。

一些重要的正在进行的发展中的突出问题是降低功耗和驱动器的性能增益的新材料在晶体管结构的改变。在持续的尺寸缩小结合三维的FinFET结构,尤其在形成栅极时导致复杂性增加,需要在结构形成时有很高的精度。因此更先进的原子水平的工艺技术,如选择性外延、金属栅、离子注入、退火、蚀刻和平坦化是必要的。同时为了满足产业的精密工程需要它的关键是提高材料的性能，增加它的选择性，加强控制。同时，让我们不要忘记，正在开发新的高迁移率通道材料。

2014年另一个令人兴奋的转折是从平面二维NAND向垂直三维NAND内存转变。3D技术可以承诺比特时代的能力和较低的成本的密集的包装器件，实现存储器的最根本的要求。随着复杂的器件的性能和成品率的挑战，包括如无失真的高纵横比的蚀刻、步进情况下精确的步长控制模式、统一的和可重复的栅叠层沉积。（莫大康编译）