半导体

三星DRAM喊涨 OEM厂被迫买单

作者:电子信息产业网来源:DigiTimes发布时间:2011-05-13 09:01我要评论

DRAM合约价再度喊涨成功,虽然5月上半涨幅仅2~3%%,但传出三星电子(Samsung Electronics)成功将2GB DDR3模块价格拉升至19美元,成为这次拉升合约价主要推手,次要因素则是近期传出海力士(Hynix)和尔必达(Elpida)40纳米制程良率不顺和设计问题,导致合约市场持续供给吃紧。不过,现货市场需求却再降温,现货和合约价格差距幅度逼近15%%,是过去相当少见差距。


2011 年以来DRAM合约和现货市场价格背离现象愈益严重,自从日本311大地震后,合约市场供需更吃紧,但现货市场需求持续低迷,随著5月DRAM合约再度成功调涨,2GB DDR3模块价格平均为18.75美元,最高价来到19美元,换算2Gb DDR3芯片为2.1美元,相较现货价格仅1.8美元,价差约15%%。


5 月合约价成功调涨推手是三星,2GB DDR3模块19美元高价,亦是三星祭出的价格,多数PC OEM厂都接受此价格,主因在于品牌DRAM大厂货源吃紧。存储器业者表示,DRAM厂进入40纳米制程后,技术门槛越来越难跨过,虽然这次尔必达被点名 40纳米良率不顺,但不是良率真有多大问题,而是无法达到过去制程高良率水平,而海力士40纳米则被点名是设计问题。


由于能供给PC OEM厂DRAM货源大幅减少,加上日本强震后,PC OEM厂原本就担心会有短缺问题,且原本库存用到4、5月左右,本来就预定是需要回补时候,偏偏此时遇到40纳米技术障碍,使得合约价格有了推升诱因。


反观现货市场,下游客户反应冷到极点,且过去现货和合约价格有一个先动,另一个都不会脱勾太久,但这次合约价一直往前冲,现货价却不动如山,两者价差已达 15%%,是过去少见情况。模块厂指出,目前出厂的计算机都是内建4GB模块起跳,消费者根本不需要再去零售市场买模块升级,现货市场萎缩可能会是常态,但 DRAM厂生意则会持续加温。


另外,原为现货市场霸主的力晶退出第1线品牌销售后,现货市场光芒顿时失色许多,虽然由尔必达接手原本力晶业务,但目前现货市场流通货源相当有限,亦是价格无法提升因素之一。


(责任编辑:小扬)


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