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日芯片技术大突破 韩企要小心被赶超

日本芯片行业时隔19年终于发动了“大反击”。其目的就是争夺全球市场规模达43万亿韩元的DRAM存储芯片霸权。日本比三星电子、海力士更快,在全球率先开发出把线路之间的间隔缩小到25纳米(10亿分之1米)的DRAM存储芯片,并宣布7月起投入量产。面对这样的好消息,日本国内也一片欢腾。


  “DRAM”是指一种可以记录和删除信息的电子产品用存储芯片,可批量生产,用于电脑的主记忆体。去年全球市场规模约达403亿美元。


  韩国自三星电子1983年开始生产DRAM以来,一直与日本企业展开技术战争。这是一场在同一面积的储存芯片上添加更多线路和功能的“集积度战争”。在这场战争中,韩国于1992年率先开发出64M容量的DRAM,赶超日本。此后始终把日本甩在身后。从此之后日本在世界DRAM市场的占有率跌至 10%%-20%%。


  日本曾一度被推到“悬崖边”,但此次时隔19年终于宣布技术大突破。日本尔必达(ELPIDA)公司此前也曾有过几次宣布“开发出新DRAM”后,把量产时间延后的先例。因此,很多专家对尔必达这次能否“在DRAM存储芯片市场真正实现大逆转”持怀疑态度。


◆无路可退的日本“大反击”


  尔必达是以“打倒韩国”为目标的企业。尔必达公司总经理坂本幸雄曾豪言:“将与台湾企业联手,把三星全球市场占有率从40%%打压到30%%。”


  尽管坂本幸雄放出了豪言,但尔必达此前一次都没有发动过真正的“反击”。反而在提高芯片集积度的技术竞争中频频失利。


  所谓的“集积度竞争”是为了在芯片里放入更多电路而缩短间隔。缩短电路之间的间隔就可以把同样大小的电路放入更小的芯片里。因此生产芯片时,利润和效率也会提高。


  一直以来尔必达在竞争中不敌韩国企业,占有率和利润也逐渐下降。去年,韩国企业(三星电子37.5%%,海力士21.5%%)的市场占有率远远超过尔必达 (16.2%%)。今年第一季度,尔必达的营业亏损达到60亿日元,营业利润率为负7%%。而三星电子(18%%)和海力士(12%%)均实现两位数的营业利润。


  但尔必达此次开发出25纳米级工艺技术后,为超越韩国奠定了基础。尔必达从去年开始就不断增强研发(R&D)力度。去年初,尔必达通过子公司瑞晶电子,在台湾建立了研发中心。今年2月在台湾股市上市,增资1.5亿美元,筹集到研发与投资资金。


  韩国一位业内人士说:“尔必达似乎认为,如果现在不能赶超韩国,就再也没有机会。此前韩国企业的技术领先尔必达约6个月,但现在反而落后4、5个月。”


◆韩国企业认为影响不会太大


  面对日本的发力,韩国企业也开始关注事态的发展。三星电子表示:“不会有什么影响。”即使率先缩短DRAM存储芯片的电路间隔,批量生产并非容易。三星电子有关人士说:“如果不合格率超过30%%,经济效率降低,不能向市场推出产品。尔必达能否按计划在7月投入量产还要继续观察。”


  尔必达今年第一季度初也曾宣布量产30纳米级DRAM,但至今都没有投产。而三星电子和海力士已投入量产。业内人士说:“我们怀疑资金周转困难的尔必达为了在资金市场筹集资金,故意发布尚未成熟的技术开发内容。”
 
  新韩金融投资证券公司表示:“尔必达开发的产品看似研发阶段的试验品。我们将关注尔必达能否成功实现逆转。”


◎关键词:尔必达(ELPIDA Memory)


  尔必达是日本唯一的DRAM存储芯片公司。1999年由日立和日本电气公司(NEC)的DRAM事业部合并成立。市场占有率继三星电子、海力士后,位居第三(16.2%%)。最近收购台湾DRAM厂商,扩大规模。尔必达在希腊语中意为“希望(hope)”,反映了日本芯片企业要追赶韩国企业的愿望。



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