半导体

世界上第一个用于300毫米的离子束沉积系统

作者:电子信息产业网来源:中国电子报发布时间:2008-11-17 14:12我要评论

亚微纳技术公司,是一家全球半导体业及相关市场的先端半导体主要设备和工艺技术的供应商,今天公开发布StratIon™ fxP的市场导入,世界上第一个可用于300毫米的离子束沉积系统。  第一个系统已被送至欧洲在电子工学和自旋电子工学里最著名中的一个应用研究中心,法国格勒诺布尔市的CEA-LETI-MINATEC。 StratIon™ fxP将被用于开发下一世代立基于磁隧道接合(MTJ)的器件之应用,其范围包括磁阻式随机存储器(MRAM)、硬盘驱动读取头或射频元件。  该系统也将被用于先端互补金属氧化物半导体(CMOS)金属栅极之沉积。  除了该系统之发送外,亚维纳和CEA-LETI还签署了一份三年的联合开发计划,概括了针对未来在磁阻式随机存储器MRAM和自旋电子工学器件磁隧道接合沉积工艺技术上的开发。
StratIon™ fxP采用了离子束工艺进行金属和介质薄膜的沉积,这是世界上第一个运用离子束沉积于300毫米晶片制造的系统。 该系统专为高量产硅晶圆工厂而设计,它基于多个经生产验证的硬件及软件平台,并且可配置三种标准类型处理室。预清洁、氧化及沉积。又可无缝地添加额外的亚微纳沉积处理室,例如原子层沉积(ALD)室和磁电管物理气相沉积(PVD)室以获得更多弹性。  StratIon™ fxP提供了低价的拥有成本(COO),高产能,占积率比目前使用于磁道接合(MTJ)沉积的其它系统小些。


Leti公司的首席行政官Laurent Malier说:“亚微纳公司的StratIon™ fxP系统是我们在自旋电子工学开发流程中的一个绝对必要的组件,”  “通过和亚微纳这样的设备供应商在自旋电子工学上的协力合作,我们相信我们能够为未来自旋电子工学器件提供更高性价比和更具生产价值的解决方案,因为它能转移到高量产化。”


亚微纳的离子束沉积提供了比传统磁电管溅射法更超越的关键优势。  使用了亚微纳专利的MORI等离子体源能实现超低气压沉积来形成膜,其光滑度比那些用现有的磁隧道接合溅射沉积设备所生产的薄膜高两倍。  光滑度是磁隧道接合堆栈的一个重要参数,最薄的薄膜厚度少于10埃。  StratIo fxP在300毫米晶片上可制造出粗糙度少于2埃均方根而厚度的不均匀度少于0.5百分比的膜。


“我们很高兴和像Leti这样一家有名的研究中心成为合作伙伴,”亚微纳技术公司首席行政官Jerry Cutini说。 “我们相信,在此合作关系下结合了两家公司的技术专长,将帮助加快对磁阻式随机存储器(MRAM)和自旋电子工学技术的采用。Aviza和Leti将致力于支持磁阻式随机存储器(MRAM)和自旋电子工学领域的IC制造者,当他们的焦点由研究转移到量产化时。”
宽带应用类自旋电子工学技术
器件的缩小化给闪存制造商带来重大的挑战,例如在65nm和以下的技术节点所可能产生的过量的漏电流。  闪存的缩小化可能无法跨越32nm技术的门槛,存储器制造商仍继续寻找替代性的架构。 


磁阻式随机存储器(MRAM)提供了一个组合包含了:非易失性、近无限的持久性、元件体积小、高速读写时间。这让它在达成分离和嵌入工艺方面实现成功的闪存产品。  它也具有最终替代缓冲存储器中的静态存储器(SRAM)或成为非易失静态存储器(NV-SRAM)替代品之潜在能力。  从更长期角度而言,作为电脑中的原本的存储器,高速旋转力矩转移磁阻式随机存储器(MRAM)可能会挑战动态随机存储器(DRAM),并且成为全球通用的存储架构。 


其它立基于磁道接合的器件将预知高速可再配置型逻辑或可调式射频元器件,可成为无线电系统的机会主义者。  自旋电子工学器件可因此而能够结合广范围各式各样的应用,包括: 手机、移动计算器、掌上电脑、音频或视频、传感器、智能卡、射频识别、数码影像、航空或军事、网络互联及工厂自动化。


自旋电子学定义
自旋电子工学或磁电子工学是一种新出现的技术,它利用了固态器件内原有的电子旋转。  自旋电子工学巧妙的运用了电子旋转而非电子电荷,其工作基础是电子能够通过旋转极化形成两种状态中的一种。 立基于自旋电子工学的器件的例子包括磁阻式随机存储器(MRAM)和硬盘驱动读取头。  潜在的未来应用包括了立基于旋转的晶体管。


责任编辑:电子信息产业网
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