半导体

第三季度IC代工业繁荣 先进制程受益

作者:安勇龙来源:中国电子报发布时间:2008-08-06 01:40我要评论
对全球前四大代工厂公布的2007年第三季度财报进行分析可以发现,在该季度,代工业整体需求旺盛,一扫今年第一季度和第二季度较往年同期下滑的颓势。不过,虽然需求旺盛,但是由于代工产品种类及技术水平的差别,各代工厂在净利润方面却是冷暖自知,中芯国际(SMIC)成为DRAM价格严重下滑的最大受害者。虽然继今年第二季度之后第三季度继续亏损,但是通过与Spansion的合作以及在其他利好因素的推动下,不久中芯国际有望走出低迷。

  第三季度代工需求旺盛

综合各家代工厂第三季度的财报,可以发现(见表“全球前四大代工厂近期财报比较”),其收入较去年同期都有所增长,与今年第二季度相比更是有较大幅度的增长。其中,TSMC和中芯国际的收入更是创下历史新高。季节性增长和新工艺带来的收入增长成为各家公司业绩成长的关键。
TSMC副总裁兼首席财务官Lora Ho表示,通信、计算机和消费类等公司从事的三大主要代工市场较上一季度两位数的强劲增长成为TSMC收入和晶圆出货量创下历史记录的主要原因。
UMC董事长兼首席执行官胡国强博士则将公司第三季度的增长归结于季节性需求强劲和公司合适的产品组合。他说:“我们的产品组合与客户组合充分利用第三季度强劲的季节性需求,因此有高成长的表现。UMC在第三季度的表现非常出色,整体表现超过我们原先的预期,并反映在营业收入、毛利、营业获利、产能使用率以及其他关键指标上。”
虽然在净利方面表现不尽如人意,但是中芯国际在收入方面却创下新高。中芯国际首席执行官张汝京将其归结于公司逻辑和非DRAM业务的强劲增长以及90nm工艺产品的收入增长。他说:“逻辑和非DRAM业务收入较今年第二季度增长12.1%%,达到2.99亿美元。公司90nm工艺产品收入占公司总收入的比例达到26.7%%,而今年第二季度则为22%%。”
消费类和通信代工产品的旺盛成为特许半导体第三季度业绩出色的关键原因。该公司高级副总裁兼首席财务官George Thomas说:“消费类和通信代工产品的强劲增长弥补了计算机代工产品走弱带来的消极影响。同时,公司130nm及以下制程产品的收入占公司总收入的比例已经达到51%%,而65nm产品收入占总收入的比例也达到12%%。”

  DRAM拖累中芯国际

中芯国际成为2007年第三季度前四大代工厂中唯一亏损的公司,与其他代工厂的红红火火相比,多少显得落寞。究其原因,DRAM业务占公司总收入的比重较高成为“罪魁祸首”,同时,在先进制程上的差距也不容忽视。
iSuppli分析师顾文军在接受《中国电子报》记者采访时表示,在各代工厂产能利用率差别不大,中芯国际甚至领先的情况下,其毛利率最低的主要原因是公司的DRAM业务比重过高和在先进制程(130nm和90nm)上与竞争对手的差距。
半导体产业专家莫大康则对《中国电子报》记者进一步解释说:“今年以来,DRAM产品价格大幅度下降,导致中芯国际的利润率受到很大影响。虽然中芯国际90nm工艺产品收入占公司总收入的比例达到26.7%%,但是其中的大部分收入来自DRAM代工产品。”
张汝京将毛利下降归结于“DRAM市场价格的严重下滑”,同时,公司为应对DRAM库存备货额外支出了1000万美元。今年第三季度,DRAM业务收入占中芯国际总收入的比重为23.6%%。与之相比,特许半导体公司根本不从事DRAM业务,而TSMC前三大业务通信、计算机和消费类产品收入占公司总收入的比重分别为42%%、32%%和17%%,存储器业务收入占公司总收入的比重仅为5%%。业务构成上的差异成为各代工厂表现迥异的直接原因。
同时,先进制程带来的成本降低也是企业提高利润率的关键因素之一。在这方面,中芯国际存在差距。中芯国际90nm产品的收入更多地来自DRAM领域,90nm逻辑业务所占比重并不高,65nm业务尚未产生实际收益。而与之相比,特许半导体和TSMC来自65nm工艺的收入占公司总收入的比重已经分别达到12%%和7%%。
当然,折旧率过高也是中芯国际利润率较低的一个重要原因。莫大康表示,中芯国际今年的收入或许能够达到16亿美元,其资本投资为7亿美元左右,折旧率相对较高。

  后市值得看好

  基于第三季度的良好表现,代工厂纷纷对后市表现出不同程度的看好。
  TSMC公司Lora Ho预计,今年第四季度,虽然由于季节性因素影响,消费类应用代工产品将有所下降,但是计算机类产品将非常强劲,通信类产品也将有较大幅度增长。预计第四季度,TSMC的营收将由第三季度的27.43亿美元增长到28.37亿美元-28.98亿美元,毛利率高达46%%-48%%。
虽然今年第三季度表现低于分析师的预期,但是在几大利好因素的刺激下,中芯国际后市值得看好。
首先,10月24日,全球最大的纯闪存解决方案供应商Spansion宣布与中芯国际展开合作。Spansion将向中芯国际转让65nm MirrorBit技术,用于其在中国的300mm晶圆代工服务。Spansion与中芯国际还签署了一项初步谅解备忘录,将授权中芯国际为公司在中国的与内容发布相关的产品应用市场制造和销售90nm、65nm以及将来的Spansion MirrorBit Quad产品,从而使中芯国际进入特定的闪存细分市场。通过进入NAND闪存、NOR闪存和Specialty DRAM领域,中芯国际的存储器产品线将更为多样化,这也是中芯国际进入潜在市场领域的成长战略的一部分。
其次,中芯国际更先进制程产品即将投入量产。近日,中芯国际宣布,基于Saifun每单元两比特技术及Quad NROM每单元四比特技术的90nm 2Gb NAND闪存和2Gb-TSOP产品,计划最早将于2007年第四季度开始商业量产。中芯国际还透露,公司正在进行8Gb NAND闪存的研究。莫大康认为,此举将使中芯国际成为全球少数几家同时具备DRAM和NAND生产能力的代工厂。
再次,公司收入构成的变化将减少DRAM价格下降带来的不利影响。今年第三季度,公司DRAM业务收入占公司收入的比重为23.6%%,较第二季度的28.9%%已经有较大幅度的下降。张汝京表示,未来两个季度,DRAM收入占公司总收入的比重将进一步下降。
最后,管理成都和武汉当地政府拥有和投资的代工厂也有利于降低中芯国际的运营成本并提高产能。张汝京表示,成都的200mm生产线已经于今年第二季度开始试生产,并将于今年年底实现大规模生产。武汉的300mm生产线也将于今年第四季度进行设备迁入。

责任编辑:电子信息产业网
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