本报讯 和舰科技(苏州)有限公司与非挥发性存储器设计公司常忆科技于5月19日共同宣布，已成功开发出拥有更高的耐久力和更小的存储器面积等优点的0.18μm浮动闸嵌入式闪存技术。通过与常忆科技的密切合作，和舰完成了此项非挥发性存储器工艺的开发和品质验证，同时开发了不同存储密度的闪存并达成高良率目标。目前该技术已被多家客户所采用并投产。

    据了解，新的0.18μm嵌入式闪存技术与标准的0.18μmCMOS工艺完全兼容，使得和舰目前0.18μm制程所有知识产权库和设计单元资料库能够与之实现整合。而且同一个存储器经定制化可允许多个不同擦除单位的存在，从而提升系统配置的弹性，满足客户在这方面的特殊需求。