中微半导体:自主研发制造MOCVD已超世界同类产品

 中国电子报、电子信息产业网  作者:
发布时间:2016-11-22
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  中微半导体设备(上海)有限公司由一批资深留学生在上海市政府的推动下,于2004年回国创立。目前公司有400多名员工,其中约1/4来自海外。中微公司已经开发了三大类产品:用于纳米级芯片生产的介质刻蚀设备(D-RIE)、用于三维芯片等多种产品生产的硅通孔刻蚀设备(TSV)和用于半导体照明芯片生产的金属有机化合物气相沉积设备(MOCVD)。

  中微公司是以中国为基地、面向亚洲和全球的微观加工高端设备公司,通过向全球领先的半导体和LED芯片制造商提供具有自主知识产权和国际先进水平的高端设备和相关工艺技术,提供周到、及时、高效的客户服务,帮助他们提升技术水平、提高生产效率、降低生产成本。中微的等离子刻蚀设备已被广泛应用于国际一线客户从45纳米到1X纳米工艺的芯片加工制造;硅通孔刻蚀设备已被国内所有的先进封装企业选用,国内市场占有率超过50%,并已开始进入国际市场;用于大批量LED和功率器件外延片生产的MOCVD设备,各项指标都达到或超过了目前世界上最重要的同类产品,已在国内最重要的十多条客户生产线上稳定地运行。

  2015年中微公司业绩有较大提升,实现收入8374万美元,增长21.6%,毛利3074万美元,较去年同期增长18.4%。2015年,中微公司共付运98个刻蚀机反应腔,包括90个介质刻蚀设备反应腔,8个硅通孔刻蚀设备反应腔。此外,公司在2015年还付运2个MOCVD设备反应腔。截至2016年7月底,公司已经有413个介质刻蚀机反应腔、94个硅通孔反应腔以及15个MOCVD反应腔在海内外客户芯片生产线运转,累计加工介质晶圆3100多万片、硅通孔晶圆290多万片。目前,公司的介质刻蚀设备在南韩最先进的16纳米存储器生产线达到每月19万片量产。

  中微自主研发制造的MOCVD设备是化合物半导体外延材料研究和生产的关键设备,适用于化合物半导体功能结构材料的规模化工业生产,是制备氮化镓基发光二极管、激光器和氮化镓功率器件外延片的关键设备,同时对于制备砷化镓、磷化铟等光电子材料和器件,以及生产半导体光电器件和微波器件材料,均是无法取代的的主流技术,为当今国家发展不可或缺的战略性高技术半导体设备。

  中微的MOCVD设备可配置1到4个反应腔,每个反应腔均可以独立控制,也可以多反应腔联动控制;连续十多炉生产不需要进行工艺微调和连续一百炉生产不需要开腔维护,更是中微设备的突出亮点。设备可实现自动化装卸和连续生产,有简便的操作与维护及符合SEMI S2标准的安全可靠设计,具有高可靠性、高重复性和高生产良率。极具竞争力的中微MOCVD设备成为MOCVD市场上期盼已久的优秀国产设备。


来源:中国电子报、电子信息产业网            责任编辑:赵晨
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